进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片
HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。
排序
三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程
换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。