三星电子：HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程 换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。 AI 新资讯行业资讯# GTC2026# HBM# HBM5 3天前829518
