HBM

换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。

AI ASIC 阵营 HBM 需求的最重要推动者还是谷歌与其 TPU 芯片。HBM3E 仍将是 AI ASIC 阵营的主力高带宽内存品类。

SPHBM4 在接口基础裸片部分采用了不同的设计，可安装在标准有机基板而不是硅基板上，在 SoC 和 HBM 内存堆栈间允许更长的线径。

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案。