HBM

在 2026~2028 年的近期，SK 海力士将推出 16 层堆叠的 HBM4 内存，并从 HBM4E 开始供应定制化 HBM 解决方案。

SPHBM4 在接口基础裸片部分采用了不同的设计，可安装在标准有机基板而不是硅基板上，在 SoC 和 HBM 内存堆栈间允许更长的线径。

AI ASIC 阵营 HBM 需求的最重要推动者还是谷歌与其 TPU 芯片。HBM3E 仍将是 AI ASIC 阵营的主力高带宽内存品类。

换句话说，HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM，HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。

金正浩指出，“现在是 GPU 主导一切的时代，但未来，GPU 将被‘装进’HBM（高带宽内存）和 HBF（高带宽闪存）之中，计算核心将彻底转向内存，GPU 和 CPU 将成为配角。”