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    三星电子

    共 17 篇文章
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    三星电子与博通 5 年 2000 亿美元合作将围绕 HBM、2nm 及以下先进制程等展开

    三星电子与博通 5 年 2000 亿美元合作将围绕 HBM、2nm 及以下先进制程等展开

    该项合作范围预计还将扩展至基于三星 2nm 的 2.3D / 2.5D 先进封装技术,以提升人工智能和网络芯片的性能与能效。
    AI 新资讯行业资讯# 三星电子# 博通
    3周前
    1,677951
    消息称 Mistral AI 首席执行官会见三星电子高官,讨论存储半导体合作

    消息称 Mistral AI 首席执行官会见三星电子高官,讨论存储半导体合作

    Mistral AI 开展业务需要大量的 XPU 算力芯片,与三星电子直接沟通有助于 Mistral AI 稳定芯片供应。
    AI 新资讯行业资讯# Mistral AI# 三星电子
    4个月前
    5,924943
    消息称三星电子向高通出样 LPDDR6X 内存,有望用于 AI250 系统

    消息称三星电子向高通出样 LPDDR6X 内存,有望用于 AI250 系统

    目前的 LPDDR6 速率可达 14400Mbps,而 LPDDR6X 预计将在这一基础上进一步提升传输带宽。
    AI 新资讯行业资讯# AI250# LPDDR6X# 三星电子
    6个月前
    10,579879
    消息称特斯拉计划就大幅提升 AI6 芯片产能规模与三星电子磋商

    消息称特斯拉计划就大幅提升 AI6 芯片产能规模与三星电子磋商

    特斯拉将 AI6 视为一种“通用型”AI 芯片,可服务于该公司从电动汽车到机器人再到数据中心的广泛业务。
    AI 新资讯行业资讯# AI6# 三星电子# 特斯拉
    6个月前
    6,030847
    消息称特斯拉延迟 AI6 芯片在三星电子 2nm 节点的多项目晶圆 (MPW) 测试

    消息称特斯拉延迟 AI6 芯片在三星电子 2nm 节点的多项目晶圆 (MPW) 测试

    多项目晶圆 (MPW) 测试服务将来自多个客户的芯片设计样品汇集到同一片测试晶圆上进行生产,可分摊晶圆成本。
    AI 新资讯行业资讯# AI6# DeepX# DXM2
    5个月前
    5,123840
    为应对成本压力,消息称三星 DX 部门考虑将入门级家电外包生产

    为应对成本压力,消息称三星 DX 部门考虑将入门级家电外包生产

    三星 DX 部门因内存涨价及中国厂商竞争,成本压力巨大。内部正全面审查经营策略,未来可能将资源集中在高端产品线,而部分入门级家电或将停产或交由外部厂商生产,以控制成本。这标志着三星垂直整合模式可能迎来...
    AI 新资讯行业资讯# 三星 DX 部门# 三星电子# 入门级家电
    2个月前
    2,615823
    进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

    进一步增强逻辑性能:三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

    HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上,其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。
    AI 新资讯行业资讯# HBM5# 三星电子# 基础裸片
    3周前
    1,548815
    有消息称三星晶圆代工决定承接 Anthropic 自研 AI 芯片制造订单

    有消息称三星晶圆代工决定承接 Anthropic 自研 AI 芯片制造订单

    外媒 The Information 曾表示,Anthropic 已启动自研芯片的早期开发工作,计划应用三星晶圆代工的 2nm 先进制程与先进封装产能。
    AI 新资讯行业资讯# AI ASIC# AI芯片# Anthropic
    1个月前
    2,026705
    内存中嵌入逻辑单元:三星电子有望在 8 月发布 LPDDR5X-PIM

    内存中嵌入逻辑单元:三星电子有望在 8 月发布 LPDDR5X-PIM

    LPDDR5X-PIM 在 DRAM Die 内部集成有计算单元,可缩短逻辑与存储的距离,化解传统方案在逻辑端和存储端间频繁传输数据带来的“内存墙”瓶颈问题。
    AI 新资讯行业资讯# LPDDR5XPIM# 三星电子
    3周前
    1,924568
    三星电子:HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

    三星电子:HBM5 与 HBM5E 将分别升级基础裸片与 DRAM 的制程

    换句话说,HBM5 将采用 2nm 基础裸片搭配 1c nm DRAM,HBM5E 则将是 2nm 基础裸片搭配 1d nm DRAM。
    AI 新资讯行业资讯# GTC2026# HBM# HBM5
    5个月前
    5,104518
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